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            EEPW首頁(yè) > 手機(jī)與無(wú)線通信 > 新品快遞 > 新日本無(wú)線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7

            新日本無(wú)線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7

            作者: 時(shí)間:2010-01-22 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              【開發(fā)背景】

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/105436.htm

              近年來(lái),隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設(shè)備的增加,市場(chǎng)需求用于分離接收信號(hào)的具有高隔離度的。為了適應(yīng)市場(chǎng)的要求,開發(fā)了最適合于信號(hào)分離的系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設(shè)備把已有的多段連接使用或使用分立電路。是實(shí)現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設(shè)備更加容易把信號(hào)分離而開發(fā)的SPDT開關(guān)。

              【產(chǎn)品特征】

              特征1 同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗

              完成了高隔離度的電路設(shè)計(jì)和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容,從而實(shí)現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, [email protected])的特性,并且實(shí)現(xiàn)了很難同時(shí)共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

              特征2 采用了小型、超薄型封裝

              采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.),實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3:2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減,使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。

              特征3 實(shí)現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓

              內(nèi)置有保護(hù)器件,從而實(shí)現(xiàn)了在MM(Machine Model)機(jī)器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。



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