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            EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

            宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

            作者: 時間:2010-01-14 來源:SEMI 收藏

              上海制造有限公司 (),專注于差異化技術(shù)的業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺的先進(jìn)45V LDMOS制程。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/105079.htm

              與傳統(tǒng)線寬相比,0.18微米邏輯平臺使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能,從而可以適用于SoC和智能電源。成熟的0.18微米邏輯制程配備了具有高精準(zhǔn)模型的完整設(shè)計(jì)工具包,極大地縮短了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期,加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外,該0.18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

              通過優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson (導(dǎo)通電阻),45V NMOS 和 PMOS的導(dǎo)通電阻分別約為70 mOhm•mm2 和 160 mOhm•mm2。導(dǎo)通電阻的減小可以使電源芯片功率驅(qū)動部分的面積縮減10%~40%,客戶因此可以為應(yīng)用提供更加有效的解決方案。

              除此以外,模塊化制程也更加靈活。1.8V的器件可以易于添加或者移除,可適用于客戶的特殊要求。除了標(biāo)準(zhǔn)的5V器件外,根據(jù)客戶的特定設(shè)計(jì),3.3V也可以用來備選。其他諸如MiM,HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

              銷售市場及服務(wù)資深副總裁衛(wèi)彼得博士說:“宏力半導(dǎo)體最新發(fā)布的45V LDMOS是一個高性能的制程,可以為客戶提供一個低成本的解決方案,縮短產(chǎn)品上市時間。這個技術(shù)平臺針對目前快速發(fā)展的芯片市場,適用于尖端的LED驅(qū)動、馬達(dá)控制和電池管理。宏力半導(dǎo)體在汽車電子芯片領(lǐng)域已經(jīng)積累了多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),我們相信這個先進(jìn)的新制程也能夠滿足汽車電子嚴(yán)苛的要求。”



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