2004年6月17日，通過開發(fā)新型存儲單元，并將SRAM單元與DRAM電容器技術(shù)相結(jié)合，瑞薩開發(fā)出了業(yè)界第一個實際上沒有軟錯誤的SRAM，稱作“superSRAM”。這種新型SRAM將投入商業(yè)性生產(chǎn)，并用于移動應(yīng)用中的16M位小功率SRAM。