TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶(hù)生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。

　　此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車(chē)用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個(gè)世代，并有數(shù)個(gè)數(shù)字核心模組可供選擇，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務(wù)，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗(yàn)證。

　　借著新工藝所提供的多項(xiàng)整合特色，可減少系統(tǒng)產(chǎn)品的物料清單。不只強(qiáng)固的高電壓DMOS提供MOSFET開(kāi)關(guān)整合，降低零組件數(shù)目外，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶硅齊納二極體(Zener diode)等，也可降低外部零組件數(shù)，并顯著地縮小電路板的面積。

　　DMOS工藝支援專(zhuān)業(yè)集成電路制造中領(lǐng)先的汲極至源極導(dǎo)通電阻(Rdson)效能(例如： 對(duì)一特定的60V NLDMOS 元件，當(dāng)BV>80V 時(shí)，其Rdson 為 72 mohm- mm2 )以及其高電流驅(qū)動(dòng)能力，可藉由元件尺寸的最佳化來(lái)提升功率效能;強(qiáng)固的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開(kāi)關(guān)與驅(qū)動(dòng)電路更為理想;更多詳細(xì)的特性分析亦可作為有用的參考，使 IC 設(shè)計(jì)能達(dá)到最佳的芯片尺寸及設(shè)計(jì)預(yù)算。

　　在COMS方面，5伏特工作電壓能支持類(lèi)比脈沖寬度調(diào)變器(Pulse Width Modulation controller)的設(shè)計(jì)，而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心，則通用于較高層次的數(shù)字整合。除此之外，與邏輯線(xiàn)路相容、單次寫(xiě)入及多次寫(xiě)入均可的記憶體選項(xiàng)，亦可提供強(qiáng)化的數(shù)字程式設(shè)計(jì)使用。

　　TSMC工業(yè)電子開(kāi)發(fā)處劉信生處長(zhǎng)指出，就驅(qū)動(dòng)元件整合來(lái)說(shuō)，新的LED驅(qū)動(dòng)IC之BCD工藝是非常尖端的技術(shù)，其相關(guān)的工藝設(shè)計(jì)套件(PDKs)強(qiáng)調(diào)高度精準(zhǔn)的SPICE模型，提供單芯片設(shè)計(jì)更多的方便性。除此之外，Mismatching Model可協(xié)助提升目前在多通道 LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)上的精準(zhǔn)度。