GR8387簡介
　　GR8387 是一同步整流芯片，用于Flyback電源中次級電路 N通道MOS管同步整流的控制，GR8387 可以控制一個或多個并聯的整流MOS管, 從而取代肖特基二級管。該芯片的工作機理是通過檢測整流MOS管的VDS電壓，選擇合適時機，讓同步整流MOS管開通和關斷。以下是腳位定義。
 

　　諧振橋式電路分析
　　圖1 所示為典型諧振橋式電路次級線路。用分離組件(Discrete)實現同步整流需要兩個電流傳感器，兩個高速比較器和兩個大電流、低延時的驅動器?，F有的單芯片同步整流是基于鎖相環(huán)技術的，從初級取信號同步控制次級整流MOS管。這種方法的缺點是不能保證在間隔模式（輕載或空載時發(fā)生）下可靠操作。同步整流（Synchronous Rectifier）技術相對這兩種方法有明顯的優(yōu)勢，它檢測的是次級MOS管電壓，完全不依賴初級信號，并且沒有類似分離組件方法（變壓器傳感）響應過慢的缺點，非常適合橋式諧振電路。

        圖1: 諧振橋式電路次級整流示意
　　在諧振橋式線路中，輸出電壓調整可以通過定頻變占空比和變頻定占空比（50％）兩種方式。若為變頻定占空比，最小頻率會出現在最低交流電壓、滿負載的情況下，而最大頻率會出現在最高交流電壓、空載的情況下。因此，在諧振橋式設計中選擇 MOT 必須參考最大開關頻率。MOT 的選取須保證在最輕載情況（同步整流MOS管開通時間最短）下可以正常工作。

　　典型線路圖及元器件命名
　　GR8387 所必需外圍組件:
　　•C: 電源去耦電容
　　•Rg: 同步MOS管柵極電阻
　　•RMOT: 最小導通時間設置電阻
　　•RCC: 供電串聯電阻
　　如整流MOS管在低側（即靠近零電位側如圖7 所示 MOS管的位置簡稱低側，反之簡稱高側即靠近輸出電位側）且輸出電源在12 到 20V 間，可以直接從電源輸出引入 GR8387 所需供電電壓。否則，須要根據情況利用以下兩種辦法得到所需供電電壓:
　　•如整流MOS管在高側，需要加輔助繞組供電
　　•如整流MOS管在低側，可利用變壓器副邊繞組抽頭
　　圖2 ， 圖3 所示為各種類型中為 GR8387 供電的典型線路

          圖2: 單端低側整流，輸出電壓直接供電 (Voutput = 12-20V)