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      海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

      作者: 時(shí)間:2009-12-15 來(lái)源:賽迪網(wǎng) 收藏

        據(jù)《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道,廠商半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬(wàn)億韓元(約20億美元),比2009年的資本開支增加一倍。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/101253.htm

        這項(xiàng)開支有1.5萬(wàn)億韓元(大約13億美元)用于內(nèi)存生產(chǎn),剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。

        這篇報(bào)道引述消息靈通人士的話說(shuō),看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過(guò)了預(yù)期。這篇報(bào)道還預(yù)計(jì)在2010年將在全球市場(chǎng)擴(kuò)大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢(shì)。



      關(guān)鍵詞: 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片

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