Intel近日宣布在化合物半導(dǎo)體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通過(guò)集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現(xiàn)在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導(dǎo)體材料，比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前，此類晶體管使用的是沒(méi)有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現(xiàn)象非常嚴(yán)重。

　　Intel現(xiàn)在為這種所謂的量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管(QWFET)加入了一個(gè)高K柵極介質(zhì)，并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個(gè)原型設(shè)備，證明新技術(shù)可以和現(xiàn)有硅制造工藝相結(jié)合。

　　試驗(yàn)證實(shí)，短通道設(shè)備加入高K柵極介質(zhì)后的柵極漏電電流減少到了只有原來(lái)的千分之一，同時(shí)電氧化物的厚度也減少了33%，從而可以獲得更快的切換速度，最終能夠大大改善芯片性能。