Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證
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韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/100077.htm
這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量比50nm制程技術(shù)提升了60%左右。并稱40nm制程的產(chǎn)品耗電量比50nm制程產(chǎn)品可下降40%，比業(yè)內(nèi)通用的耗電標(biāo)準(zhǔn)低兩倍。
Hynix公司的CMO JB Kim表示：“在高性能服務(wù)器市場，目前的主流已經(jīng)迅速由原來的1Gb密度芯片轉(zhuǎn)為2Gb密度芯片，我們將為業(yè)界提供性能最好的1Gb/2Gb內(nèi)存產(chǎn)品。”
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